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据滂湃新闻等报谈德国足球人口注册人数，英伟达已开发出最新修订版系列芯片——HGXH20、L20PCle和L2PCle。

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据行业分析师展望， HGX H20芯片和L20 PCIe GPU展望将于2023年12月推出，而L2 PCIe加快器将于2024年1月推出。

而值得安适的是，天然算力上与A100有澄莹差距，但新款算力芯片H20 GPU领有96GB HBM3内存，内存带宽为4.0 TB/s，这比“民众”H100的3.6 TB/s带宽更高，弥补了算力上的残障。

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华泰证券示意，AI带动的算力需求快速增长需要存储芯片进行容量与带宽上的配套， GDDR决议带宽迭代速率已难以缓和，而带宽更高的HBM决议有望加快增长，展望HBM将在24/25年后成为商场主流。

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什么是HBM？

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HBM叫高带宽存储器，是AMD和SKHynix荟萃推出的基于3D堆叠时刻的同步动态就地存取存储器（SDRAM），适用于高带宽需求的哄骗阵势，哄骗于高性能GPU、网罗交换及转发开荒（如路由器、交换器）、高性能数据中心AI ASIC和FPGA，以及一些超等盘算机处理器中。

湘财证券指出，HBM的出身主若是为了惩处“内存墙”和“功耗墙”的问题。

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在一些特殊使用场景中（尤其是AI盘算范畴），处理器频频需要恭候内存的数据回传，超高的延时严重拖慢了运算开荒全体的运行效果，内存带宽徐徐成为收尾盘算机发展的要道，HBM通过立体堆叠时刻制造完成，这些堆叠的芯片通过称为“中介层(Interposer)”的超快速互联格式，相接至GPU，完了了等闲存储8.5倍的带宽，灵验惩处了内存墙问题

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其次，大范畴的数据传输需要CPU与存储器通过数据总线进行频繁的数据交换，传输经由消耗的功耗要比盘算自己的功耗更大，带来了成本问题，数据中心运营成本中电力成本占到56.70%，而电力成本中67.29%来自于IT负荷，HBM的低功耗上风故意于镌汰数据中心动力成本。

巨头加码HBM成本开支

目下，多家厂商竞相考试大模子，催生了多数需求。

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据金融时报的报谈，2023年英伟达将出货55万片H100，2024年将出货150-200万片H100，Omdia预测2023年和2024年的HBM需求量将同比增长100%以上。2025年以后，在AI考试需乞降AI推理需求的推动下，HBM的需求将链接快速增长，SK海力士公司预测，在2027年之前，HBM商场将以82%的复合增长率保握增长。

在此布景下，三星、好意思光、海力士三巨头整个加码HBM的成本开支。

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据韩国The Elec报谈，三星电子和SK海力士两家公司加快鼓吹12层HBM内存量产。HBM堆叠的层数越多，处理数据的智商就越强，目下主流HBM堆叠8层，而下一代12层也行将启动量产。

另据集邦半导体报谈，三星谈论在天安厂成就一条新封装线，用于大范畴分娩HBM，该公司已阔绰105亿韩元购买上述建筑和开荒等，展望追加投资7000亿-1万亿韩元。

好意思光方面，首席实施官Sanjay Mehrotra稍早前浮现，公司HBM3E目下正在进行英伟达认证，谈论于2024年头启动多数出货。首批HBM3E经受8-Hi联想，提供24GB容量和越过1.2TB/s频宽。公司谈论于2024年推出超大容量36GB 12-Hi HBM3E堆叠。此前好意思光曾浮现，展望2024年新的HBM将带来数亿好意思元的收入。

国产厂商发力上游材料范畴

HBM产业链主要由IP、上游材料、晶粒联想制造、晶片制造、封装与测试等五大身手組成，国内厂商则主要处于上游材料范畴。

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民生证券指出，材料端来看，每个HBM封装里面王人堆叠了多层DRAMDie，各层DRAMDie之间以硅通孔（TSV）和微凸块（microbump）相接，终末相接到基层的HBM限制器的逻辑die。因此HBM的特有性主要体目下堆叠与互联上。

关于制造材料，HBM中枢之一在于堆叠，HBM3更是完了了12层中枢Die的堆叠，多层堆叠关于制造材料尤其是先行者体的用量成倍晋升；

关于封装材料，HBM将带动TSV和晶圆级封装需求增长，况兼对封装高度、散热性能提倡更高要求。

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